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新型可擦写高密度光信息存储材料问世
2005年12期 发行日期:2005-09-01
新型可擦写高密度光信息存储材料问世
    近年光致变色材料在光信息存储方面的应用研究备受关注。螺  
嗪类光致变色化合物具有良好的光稳定性和耐疲劳性,在许多光学领
域得到应用。但由于开环体的热稳定较差,其在光学信息存储领域的
应用受到极大限制。
    日前,经过中科院化学所、华东理工大学和中国科技大学等单位
研究人员的联合攻关,我国在利用新型热稳定螺  嗪类材料进行可擦
除高密度光学信息存储方面取得了新进展。
    研究人员设计合成出1种开环体热稳定性良好的新型螺  嗪分子
sofc。在螺  嗪分子的母体环上引入二茂铁基团,螺  嗪开环体的热
稳定性大大提高。光致异构化反应研究表明,这种分子具有良好的光
致变色性,且光致变色反应前后分子的荧光发射有明显差别。
    基于这种性质,研究人员利用共焦荧光显微镜在这种螺  嗪分子
薄膜上实现了二维光学信息存储,并成功地利用双光子技术进行了三
维光学信息存储。同时,研究人员还考察了存储图案读出过程中的光
学稳定性,以及其在多次“写入-擦除”过程中的耐疲劳性。
    研究结果表明,这类新型光致变色材料用于信息存储表现出良好
的稳定性,可进行反复擦写,而且可以用于基于双光子技术的多层三
维高密度光学信息存储,表现出很好的应用前景。
    这一研究结果为新型高密度光学信息存储材料的设计和制备开拓
了新的思路。(实)
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